制造集成电路的方法
2020-01-11

制造集成电路的方法

还没有提出一种用于分开通过具有新颖性结构的薄膜形成的集成电路的方法或者将集成电路移置到另一底层的方法,也就是移置方法。根据本发明,在隔离通过释放层形成在衬底上具有新颖性结构的薄膜的集成电路的情况下,在固定薄膜集成电路的状态中去除释放层,将薄膜集成电路移置到具有粘接表面的支撑衬底,并移置薄膜集成电路。

通过第二层间绝缘膜129可以改善平坦性。可以将有机材料或者无机材料用于第二层间绝缘膜129。作为有机材料,可以使用聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺(polyimideamide)、抗蚀剂;或者苯并环丁烯、娃氧烧、聚娃氨烧。娃氧烧包括通过娃(Si)和氧(O)的键形成的构架,其中包括至少含有氢的有机基团(例如烷基或者芳香烃)作为取代基,可替换地,可以使用氟代基团(fluorogroup)作为取代基,进一步可替换地,可以使用氟代基团和至少含有氢的有机基团作为取代基。聚硅氨烷是由包含具有硅(Si)和氮(Ni)的键的聚合材料作为起始材料的液体材料制成的。作为无机材料,可以使用具有氧或者氮的绝缘膜,例如氧化硅(S1x)膜、氮化硅(SiNx)膜、氮氧化硅(S1xNy)膜、氧氮化硅(SiNxOy)膜,(χ>y)(χ,y=1,2...)等。可以由包括上述绝缘膜的层状结构形成第二层间绝缘膜129。在借助于有机材料形成第二层间绝缘膜129的情况下,改善了第二层间绝缘膜129的平坦性;然而,增加了第二层间绝缘膜129的湿气或者氧的吸收水平。为了防止上述,优选在有机材料上形成具有无机材料的绝缘膜。在使用包括氮的绝缘膜的情况下,除了湿气之外还可以防止碱离子例如Na的渗透。

图13A到13E示出了传送载体401、衬底载送臂400、夹具403、刻蚀剂引入腔室405、刻蚀剂入口406、刻蚀出口407、夹具载送臂408、带式运输机410、膜传送辊411、提升辊412、膜传送辊413、和对准装置414。

也就是,用于制造薄膜集成电路的方法具有防止非接触式IDF芯片、接触式IDF芯片和混合式IDF芯片中的任何一种散开的效应。

参考图3A到4C解释去除释放层102之后的过程。如图3A所示,去除释放层102。然后,如图3B所示,粘贴设有粘接表面140的装置用于固定薄膜集成电路101。作为用于提供粘接表面的装置,可以使用娃橡胶、全氟弹性体(perfluoroelastomer)、FluonAflas、Teflon橡胶等。特别地,全氟弹性体和FluonAfIas具有高耐热性和高耐化学性,因此优选使用它们。

图8A到SC是示出制造薄膜集成电路的过程的图;

在使用加热炉作为另一热处理的情况下,在500到550V将非晶半导体膜加热2到20个小时。在该例子中,优选在500到550°C的范围内多级地设置温度,以便逐渐增加。通过初始低温加热过程,释放非晶半导体膜中的氢等。因此,可以进行所谓的氢释放反应,其使得减少了由于结晶化导致的膜表面的粗糙度。而且,由于可以降低加热温度,所以优选在非晶半导体膜上形成促进结晶化的金属元素,例如镍。即使在使用金属元素的结晶化中,也可以在600到950°C加热非晶半导体膜。

根据本发明,在通过释放层(下文中,薄膜集成电路)分开具有形成在绝缘衬底上具有新颖结构的薄膜的集成电路的情况下,在固定薄膜集成电路的状态下去除释放层,将薄膜集成电路移置到具有粘接表面(第一底层)的支撑底层,并将薄膜集成电路移置到具有粘接表面的另一底层(第二底层),该粘接表面比第一底层的粘接表面具有更高的粘接的强度(粘接强度)。也就是,将薄膜集成电路移置到具有粘接表面的另一底层,该粘接表面比支撑衬底的粘接表面具有更高的粘接强度。另外,具有薄膜集成电路的芯片被称为IDF

其后,如图1lA和IlB所示,将刻蚀剂115引入到开口部分151和凹槽105以去除释放层102。图1lA是沿着线a-b图10的截面图,而图1lB是沿着线c_d图10的截面图。

如图13B所示,形成在绝缘衬底100上的薄膜集成电路被支撑在提起的衬底载送臂400之间,并被放置在刻蚀剂引入腔室405中。可替换地,形成在绝缘衬底100上的薄膜集成电路被掘起,并放置在腔室405的下部。不局限于使用衬底载送臂400。可以使用可以将形成在绝缘衬底100上的薄膜集成电路放置在腔室405中的任何装置。